<table id="cyycc"><source id="cyycc"></source></table>
  • <table id="cyycc"><kbd id="cyycc"></kbd></table>
  • <td id="cyycc"><rt id="cyycc"></rt></td>
  • <td id="cyycc"><rt id="cyycc"></rt></td>
  • 科技創新
    technological innovation
    “激光化學氣相沉積高取向碳化硅與工程應用”項目 科技成果鑒定結果公示
    日期: 2023-06-19 字號 【 打印本頁 】
    “激光化學氣相沉積高取向碳化硅與工程應用”項目 科技成果鑒定結果公示 委托人:武漢理工大學、武漢拓材科技有限公司、湖北晶星科技股份有限公司 評審鑒定時間:2023年6月10日 地點:安徽省蕪湖市 一、項目的關鍵技術和主要創新點如下: 1.

    “激光化學氣相沉積高取向碳化硅與工程應用”項目

    科技成果鑒定結果公示


    委托人:武漢理工大學、武漢拓材科技有限公司、湖北晶星科技股份有限公司

    評審鑒定時間:2023610

    地點:安徽省蕪湖市

    、項目的關鍵技術和主要創新點如下:

    1.發明了大功率超高斯分布連續激光化學氣相沉積高速制備碳化硅涂層技術及裝備,攻克了傳統CVD技術中材料生長表面臨界層厚度薄、微觀粒子遷移率低導致無法快速成膜等技術難題,膜層生長速率較傳統CVD工藝提升2-3個數量級,最高可達3600微米/小時,實現了毫米級厚膜制備。

    2.發明了碳化硅晶體缺陷控制技術,運用各類晶體缺陷物理屬性與幾何形態誘導缺陷發育、湮滅,并將其封存于材料底部,解決了碳化硅膜層微觀缺陷密度大等難題,材料反向疇界和雙向疇界缺陷密度下降2個數量級。

    3.發明了碳化硅微觀結構精細控制技術,攻克了CVD碳化硅材料晶粒取向、表面形貌難以控制等難題,獲得了微納尺度下結構與表面形貌精準可控、高取向度的膜層,實現金屬液與容器膜層表面潤濕性可控。

    二、項目已獲授權發明專利9項、參與制定國家標準1項。產品已在多家半導體材料企業應用,解決了碲、銦、鋁等半導體材料高純化技術瓶頸,對推進半導體領域高純原材料自主可控、提高國際競爭力具有重大意義。

    項目成果整體達到國際先進水平。其中,碳化硅膜層生長速率、微觀結構精細控制技術達到國際領先水平。

     

    對該項目的鑒定如有異議,請于公示之日起14日內向中國建筑材料聯合會科技發展部

    反映(電話:010-57811082)。

                                         

    中國建筑材料聯合會科技發展

    2023610


          




    公眾號
    視頻號
    地址:北京市海淀區三里河路11號
    電話:010-57811569
    郵箱:msc@cbmf.org
    中國建筑材料聯合會 版權所有 京ICP備11000913號-1 京公網安備 11010802024072號
    <table id="cyycc"><source id="cyycc"></source></table>
  • <table id="cyycc"><kbd id="cyycc"></kbd></table>
  • <td id="cyycc"><rt id="cyycc"></rt></td>
  • <td id="cyycc"><rt id="cyycc"></rt></td>
  • 东京热网址